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基于GaN肖特基二极管的180GHz二倍频设计

Design of 180GHz Double Frequency Based On GaN Schottky Diode

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【作者】 李祥张勇

【Author】 LI xiang;ZHANG yong;EHF key Laboratory of Fundamental Science, University of Electronic Science and Technology of China;

【机构】 电子科技大学极高频复杂系统国防重点学科实验室

【摘要】 本文设计了一款基于GaN肖特基二极管的180GHz平衡式二倍频。使用ADS和HFSS软件,通过场路结合的方式,对二倍频进行仿真优化。仿真结果表明:在输入30d Bm,偏置电压-9V时,在160-227GHz输出功率>22d Bm,倍频损耗<8dB。具有较好的输出功率平坦度和较大的有效输出功率带宽。

【Abstract】 A design of 180GHz balanced double frequency is proposed by using the GaN schottky diode. ADS and HFSS software are used to simulate and optimize double frequency by a method of filed-circuit cooperative design. The simulated results show that when the input is 30dBm and the bias voltage is-9V, the output power is >22dBm and the conversion loss is <8dB in 160-227GHZ.

【关键词】 太赫兹二倍频GaN肖特基二极管
【Key words】 terahertzdouble frequencyGaN Schottky diode
  • 【会议录名称】 2023年全国微波毫米波会议论文汇编(一)
  • 【会议名称】2023年全国微波毫米波会议
  • 【会议时间】2023-05-14
  • 【会议地点】中国山东青岛
  • 【分类号】O441.4;TN311.7
  • 【主办单位】中国电子学会
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