多芳基吡咯衍生物的合成及聚集诱导发光性能研究

【作者】 屈佳敏； 任飞； 石建兵； 董宇平；

【机构】 北京理工大学材料学院；

【摘要】 聚集诱导发光(AIE)材料从根本上解决了传统荧光染料在聚集态或固态下荧光猝灭的问题,近年来受到科研工作者的广泛关注。~1其中,近红外(NIR)的AIE材料具有组织穿透能力强、对生物样品低损伤以及抗生物体自身荧光干扰等优势,在生物领域极具应用潜力。~2但是,NIR染料往往存在荧光量子产率低等缺点,大大降低了其本身的应用价值。因此,开发结构新颖、性能优异的NIR荧光探针是目前生物医药领域迫切需要的。~3基于此,我们设计并合成了多芳基吡咯衍生物,并在吡咯2,5位上的苯基上引入不同长度的烷基链,在吡咯3位引入拉电子基团,形成D-π-A型分子,使其发射波长红移到NIR区。通过对所得吡咯衍生物的测试,其全部为具有AIE性质的化合物。通过荧光量子产率(ΦF)以及荧光寿命(τ)的测定,发现这一系列化合物固态的辐射跃迁常数远高于溶液态的辐射跃迁常数,并且随着烷基链的不断增加而发射波长逐步红移。此外,烷基链的引入大大提高了材料的Φ_F,在选取的碳链长度范围内,引入4个碳的烷基链时三苯基吡咯衍生物具有最高的Φ_F(32%),这对于开发具有AIE性质的NIR荧光探针提供了一定的指导意义。更多还原