【作者】 王帅； 钟世昌； 王云燕； 林罡；

【Author】 Shuai Wang;Shichang Zhong;Yunyan Wang;Gang Lin;Nanjing Electronic Devices Institute;

【机构】 南京电子器件研究所；

【摘要】 本文研究了S波段250W星用氮化镓内匹配功率管的研制工作,该功率管采用南京电子器件研究所的两个25mm栅宽进行匹配合成。最终研制的S波段星用Ga N内匹配功率管在3.1～3.4GHz整个频带内,32V漏电压,1ms周期,10%占空比,输入功率41d Bm下,输出功率大于250W,最高功率输出达到260W,带内功率增益大于13d B,最大功率附加效率67%,充分显示了GaN功率器件性能优势。更多还原

【Abstract】 The paper is to research the S band 250 W GaN internal matching HEMT.Using two 25 mm GaN power HEMT transistors which were made by Nanjing Electric Devices Institute,the internal matching transistor demonstrates an output pulse power of more than 250 W with a power gain of over 13 dB across the band of 3.1-3.4 GHz,operating at 32 V drain bias voltage,100 us pulse width and the duty of 10%.It fully shows the advantages of the GaN Power HEMT.更多还原