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镶嵌在SiC中纳米硅薄膜的电致发光行为
【作者】 芮云军； 李淑鑫； 徐骏； 曹蕴清； 李伟； 陈坤基；
【机构】 南京大学电子科学与工程学院固体微结构国家重点实验室； 南京工业大学理学院应用物理系；
【摘要】 <正>近年来,镶嵌在碳化硅(SiC)中的纳米硅薄膜越来越受到研究者的关注,因为其在硅基光电器件,特别是硅基发光器件和太阳能电池等方面有很大的应用前景。SiC与二氧化硅相比较具有较低的光学带隙,且带隙随着Si、C组分的不同而变化。所以镶嵌在SiC中的纳米硅具有较低的势垒高度,电注入载流子的效率较高,有利于硅基光电器件性能的提高。
【基金】 国家自然科学基金(61036001);江苏省自然科学基金(BK2010010);中央高校基本科研业务费专项资金(1112021001)资助
- 【会议录名称】 TFC’11全国薄膜技术学术研讨会论文摘要集
- 【会议名称】TFC’11全国薄膜技术学术研讨会
- 【会议时间】2011-08-25
- 【会议地点】中国江西南昌
- 【分类号】TB383.2;TN383.1
- 【主办单位】中国真空学会薄膜专业委员会