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掺杂改性提高ZnO薄膜压电常数及声表面波器件研究
【机构】 清华大学材料系先进材料教育部重点实验室；
【摘要】 <正>ZnO薄膜结构简单,容易制备,成本低廉,与半导体平面工艺兼容,在目前发现的四配位半导体中具有最大的压电常数,因此被广泛应用于微电机械系统、传感器、驱动器、声表面波滤波器等各类压电器件中。压电器件的性能强烈依赖于ZnO薄膜的压电性能,纯ZnO薄膜的压电常数一般不超过12.4pC/N,这比
- 【会议录名称】 TFC’11全国薄膜技术学术研讨会论文摘要集
- 【会议名称】TFC’11全国薄膜技术学术研讨会
- 【会议时间】2011-08-25
- 【会议地点】中国江西南昌
- 【分类号】TN304.055
- 【主办单位】中国真空学会薄膜专业委员会