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介电薄膜在GaN上的界面可控外延生长和性能研究
【机构】 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室；
【摘要】 <正>采用激光分子束外延技术（L-MBE）,以BaTiO3类氧化物介电薄膜为对象,研究在宽禁带半导体GaN上氧化物薄膜的异质外延的生长。通过特殊设计的纳米厚度缓冲层TiO2和MgO,对界面加以控制,优化了氧化物薄膜的外延质量。在此基础上,研究了GaN基半导体上生长的BTO类多种介电氧化物薄膜的性能。研究发现:TiO2作为模板层可诱导介电薄膜的低温外延生长;MgO作为势垒层可
- 【会议录名称】 TFC’11全国薄膜技术学术研讨会论文摘要集
- 【会议名称】TFC’11全国薄膜技术学术研讨会
- 【会议时间】2011-08-25
- 【会议地点】中国江西南昌
- 【分类号】TB383.2
- 【主办单位】中国真空学会薄膜专业委员会