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新型金属氧化物纳米颗粒光刻胶的合成及其性能研究
【机构】 中国科学院化学研究所光化学重点实验室北京分子科学国家实验室；
【摘要】 极紫外光刻要求使用高性能的极紫外光刻胶~1,按照国际半导体技术路线图(ITRS)要求,极紫外光刻胶需要具有高抗刻蚀性、高线边缘粗糙度(LER)以及高灵敏度。设计这些新的光刻胶有一个挑战,在保持光刻图案和光刻性能的同时,需要设计特殊的分子结构来保证其对EUV光的吸收。我们合成了含有二氧化钛与二氧化铪纳米颗粒结构的金属氧化物纳米颗粒光刻胶(图1)~2。这一类光刻胶将会比高分子聚合物光刻胶有更高的抗刻蚀性,其光刻分辨率可以达到20纳米。
- 【会议录名称】 中国化学会第十六届全国光化学学术讨论会会议论文集（2019）
- 【会议名称】中国化学会第十六届全国光化学学术讨论会（2019）
- 【会议时间】2019-10-12
- 【会议地点】中国山东济南
- 【分类号】TN305.7
- 【主办单位】中国化学会（Chinese Chemical Society）