基于极化子跃迁和电荷转移协同作用的半导体SERS研究

【作者】 李林芳； 宋薇； 纪伟；

【机构】 大连理工大学化工学院； 吉林大学超分子结构与材料国家重点实验室；

【摘要】 半导体表面增强拉曼散射（surface-enhanced Raman scattering,SERS）增强机理的研究是发展半导体SERS技术过程中亟待解决的关键问题。目前,研究者普遍认为半导体SERS增强主要来自于电荷转移共振、激子共振、分子共振等。近年来,人们发现非计量合成的氧化钨(W₁₈O₄₉)可以产生局域表面等离子体共振,产生较高的SERS增强能力^[1-2]。本文中,我们通过溶剂热方法合成了海胆状W₁₈O₄₉纳米粒子（如图1a所示）^[3],利用亚甲基蓝分子的作为分子探针详细研究了其SERS性能。如图1（b）所示,其检测限可以降低至10^-7 M,增强因子为5.4×10⁵,可以与无"热点"效应的贵金属SERS增强基底相媲美。经过一系列研究表明,该SERS基底的高灵敏度归因于极化子跃迁与电荷转移之间的协同效应。更多还原