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氮化铝超宽禁带半导体薄膜的拉曼及椭偏光谱学研究
Raman and Ellipsometry Spectroscopic Investigation on Ultrawide Gap Semiconductor AlN Films
【作者】 王炳军； 尹军华； 孙晓娟； 黎大兵； 何开岩； 万玲玉； 冯哲川；
【机构】 广西大学物理科学与工程技术学院； 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所发光学及应用国家重点实验室；
【摘要】 一系列的超宽禁带半导体氮化铝薄膜采用了MOCVD生长,这些薄膜有着不同位错密度[1]。我们选择其中典型的两片(000,001)进行深入的深紫外(266nm)和可见光(532nm)拉曼光谱及椭圆偏振光谱的研究。细致的分析增进了对氮化铝薄膜的特性掌控。
- 【会议录名称】 第二十届全国光散射学术会议（CNCLS 20）论文摘要集
- 【会议名称】第二十届全国光散射学术会议（CNCLS 20）
- 【会议时间】2019-11-03
- 【会议地点】中国江苏苏州
- 【分类号】TN304.055;O433.5
- 【主办单位】中国物理学会光散射专业委员会