【作者】 杨卫涛； 贺朝会； 郭刚； 李洋； 李永宏； 殷倩； 史淑廷； 蔡莉； 张付强； 胡志良； 梁天骄； 王松林； 周斌；

【Author】 YANG Wei-tao;HE Chao-hui;Guo Gang;LI Yang;LI Yong-hong;YIN Qian;SHI Shu-ting;CAI Li;ZHANG Fu-qiang;HU Zhi-liang;LIANG Tian-jiao;WANG Song-lin;ZHOU Bin;School of Nuclear Science & Technology,Xi’an Jiaotong University;National Innovation Center of Radiation Application,China Institute of Atomic Energy;Dongguan Neutron Science Center;China Spallation Neutron Source(CSNS),Institute of High Energy Physics(IHEP),Chinese Academy of Sciences(CAS);

【机构】 西安交通大学核科学与技术学院； 中国原子能科学研究院国防科技工业抗辐照应用技术创新中心； 东莞中子科学中心； 中国散裂中子源中国科学院高能物理研究所；

【摘要】 针对28 nm工艺Xilinx Zynq—7000 SoC,首次在国内开展了散裂中子、中能质子和重离子微束单粒子效应辐照实验。在散裂中子辐照时,获得了片上存储器、一级数据缓存和块存储器模块的单粒子效应敏感性。在中能质子辐照时,测试了片上存储器模块在90 MeV和70 MeV质子辐照时的单粒子效应。在重离子微束辐照测试中,获得了片上存储器、一级数据缓存、算数逻辑单元、浮点运算单元和外设的单粒子效应敏感点分布。研究结果对SoC的应用具有指导意义。更多还原

【Abstract】 For the 28 nm Xilinx Zynq—7000 SoC,spallation neutron,medium energy proton and heavy ion microbeam single event effect irradiation tests were performed for the first time in China.In the spallation neutron irradiation,the single event effect sensitivity of on chip memory,L1 DCache and block memory is obtained.The single event effects of on chip memory at 90 MeV and 70 MeV proton irradiations are tested under medium proton irradiation.In the heavy ion microbeam irradiation test,the single event effect sensitivity spots distributions of on chip memory,L1 D-Cache,arithmetic logic unit,floating point unit and peripherals are achieved.更多还原