界面工程制备高效平面钙钛矿太阳能电池

【作者】 王鑫； Chun-Chao Chen；

【机构】 上海交通大学材料科学与工程学院；

【摘要】 在平面结构钙钛矿太阳能电池中,二氧化锡（SnO₂）具有高电子迁移率,高透光性（>90%）,宽带隙（～3.74eV）和低温溶液制备（～150℃）等优点,是目前研究较热的钙钛矿电池的电子传输层材料。在此,我们制备简单高效的平面正式钙钛矿太阳能电池器件,对氧化锡电子层（Alfa-SnO₂）的制备工艺进行优化,器件效率可达到18.46%。我们发现SnO₂与钙钛矿光活性层的界面非常重要,因此将含胺基聚芴类共轭高分子衍生物PFN-Br与SnO₂进行交联,从而成功制备了一种性能优异的P-SnO₂电子传输材料。基于此材料的P-SnO₂电子层获得更高的电子迁移率,更低的导带位置以及更加稳定的界面特性,而基于P-SnO₂的平面钙钛矿太阳能电池因此具有更高的电流密度（～24 mA/cm²）和更高的光电效率（PCE=19.39%）。本研究为有效改进电子传输层界面特性和提高光电效率提供思路。更多还原