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半球—圆柱型场发射体表面电场分析及场发射电流密度公式修正
【机构】 北京大学纳米器件物理和化学重点实验室；
【摘要】 F-N理论适用于计算平面场发射或局部场发射电流密度,直接用来分析非平面发射体场发射性能时理论结果和实际结果存在偏差。本文以半球一圆柱场发射体为例,使用ansys软件分析了表面电场强度的变化规律,并据此计算了宏观发射电流与外加电场的关系。结果表明电场强度沿高度下降减小很快,发射电流主要来自顶部半球表面。宏观发射电流密度可以表示为JM=αnJC,其中JC为特征发射电流密度即电场最强点处的发射电流密度,αn为有效发射面积率,可近似表示为αn=c1FMc2exp（-c3/FM）,c1,c2,c3为常数。
- 【会议录名称】 中国电子学会真空电子学分会第二十一届学术年会论文集
- 【会议名称】中国电子学会真空电子学分会第二十一届学术年会
- 【会议时间】2018-08-23
- 【会议地点】中国甘肃平凉
- 【分类号】TN101
- 【主办单位】中国电子学会真空电子学分会、微波电真空器件国家级重点实验室