节点文献
真空场发射三极管电学特性研究及大气工作性能探究
【机构】 西安交通大学电子物理与器件教育部重点实验室；
【摘要】 真空场发射三极管(Vacuum Field Emission Triode, VFET)是一种在真空沟道中弹性传输电子的真空微电子器件,融合了真空电子器件和固态电子器件的优点。本文基于表面传导电子发射源制备技术和微加工工艺,在氧化硅衬底上制备平面底栅型真空场发射三极管,对其电学特性和大气环境中的工作特性进行研究。所制备真空场发射三极管的真空沟道尺寸约为100nm,具有较好的场致电子发射特性和栅极调制特性,并初步实现了在大气环境中工作。
【基金】 国家自然科学基金资助(61771383)
- 【会议录名称】 中国电子学会真空电子学分会第二十一届学术年会论文集
- 【会议名称】中国电子学会真空电子学分会第二十一届学术年会
- 【会议时间】2018-08-23
- 【会议地点】中国甘肃平凉
- 【分类号】TN112
- 【主办单位】中国电子学会真空电子学分会、微波电真空器件国家级重点实验室