g-C3N4-SnO2杂化材料制备及其光催化、气敏性能研究

【作者】 王金权； 胡富云； 唐纪娥； 陈旭； 蒋沈益； 袁赛赛； 张启涛； 张明；

【机构】 淮阴工学院化学工程学院； 江苏省盐化工新材料工程实验室； 扬州大学化学化工学院；

【摘要】 聚合物半导体石墨相氮化碳（g-C₃N₄）,由于优异的化学稳定性和独特的电子能带结构,被作为一种廉价、稳定、不含金属组分的可见光光催化剂广泛应用于太阳能的光催化转化,如光解水产氢产氧、有机选择性光合成和有机污染物的降解等,引起人们的关注。本文通过球磨法将g-C₃N₄与半导体金属氧化物SnO₂在一定转速下,制备成杂化材料,并研究了杂化材料的光催化与气敏性能。研究表明,在光催化降解RhB应用中,当g-C₃N₄与SnO₂的质量比为0.5:0.35形成的杂化材料,其光催化降解RhB能力最佳;在气敏性能检测中,当g-C₃N₄与SnO₂的质量比为0.5:0.5形成的杂化材料,其气敏性能最佳。更多还原