【作者】 陈亚培； 张勇； 孙岩； 陆海燕； 程伟； 徐锐敏；

【Author】 Yapei Chen;Yong Zhang;Yan Sun;Haiyan Lu;Wei Cheng;Ruimin Xu;EHF Key Laboratory of Fundamental Science,University of Electric Science and Technology of China;Science and Technology on Monolithic Integrated Circuits and Modules Laboratory,Nanjing Electronic Devices Institute;

【机构】 极高频复杂系统重点学科实验室电子科技大学； 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京电子器件研究所；

【摘要】 随着微波毫米波技术的发展,对于高精度电路仿真技术的要求越来越严格,而准确的太赫兹晶体管模型非常缺乏。本文针对这一问题,提出了一种新型双内电阻太赫兹磷化铟双异质结晶体管小信号模型,该模型针对0.5um*5um发射极晶体管实现了良好的全频段多偏置S参数特性表征。更多还原

【Abstract】 A novel small-signal equivalent-circuit model of terahertz InGaAs/InP double heterojunction bipolar transistor(DHBT) is presented. We introduce two intrinsic base resistances to improve model accuracy in terahertz frequency, and systematically parasitics extraction method is also presented for a 0.5 um*5 um emitter area InGaAs/InP DHBT. The model results in excellent fit with the measured multi-bias S-parameters of device up to 325 GHz.更多还原