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掺氦钨薄膜中氦原子捕获机制的内耗研究

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【作者】 赵帮磊郝汀王乐蒋卫斌王先平方前锋

【机构】 中国科学院固体物理研究所

【摘要】 本研究使用射频磁控溅射法制备了掺氦钨薄膜。微结构观察表明这些厚度约为2μm的掺氦钨薄膜中存在着大量的尺寸约为1 nm的氦泡。内耗温度谱研究表明(室温~410℃):在升温曲线中,与不掺氦钨薄膜相比,掺氦钨薄膜的内耗值总体上明显增高;掺氦钨薄膜在230℃附近出现了一个内耗峰,此内耗峰在第二次升温中不消失。掺氦钨薄膜中内耗值的明显升高和230℃附近内耗峰的出现反映了氦缺陷在钨薄膜中存在着多种捕获吸附机制。

【关键词】 磁控溅射掺氦钨薄膜氦泡内耗
  • 【会议录名称】 第十二届全国固体内耗与力学谱及其应用学术会议论文集
  • 【会议名称】第十二届全国固体内耗与力学谱及其应用学术会议
  • 【会议时间】2018-07-27
  • 【会议地点】中国天津
  • 【分类号】TB383.2;TQ136.13
  • 【主办单位】中国物理学会内耗与力学谱专业委员会
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