SnTe薄膜中力电耦合性能的的第一性原理研究

【作者】 杨超； 刘彦昱； 唐刚； 王学云； 洪家旺；

【机构】 宇航学院北京理工大学；

【摘要】 最近,Chang等人发现单层二维SnTe薄膜中存在面内极化强度并且其居里温度显著高于SnTe块体的居里温度,极大的推动了二维铁性材料的研究。利用密度泛函理论,我们研究了二维SnTe薄膜的几何结构、晶格动力学和和力电耦合性能。晶格动力学计算结果表明,偶数层薄膜比奇数层薄膜具有更高的稳定性,解释了制备的SnTe薄膜都是周期性的偶数层结构的现象。此外,基于双势阱和原子畸变分析,发现二维SnTe薄膜的居里温度比块体的要高,并且呈现非单调的厚度依赖性,材料极化强度也呈现出随厚度减小现增加后减小的趋势。此外,第一性原理计算还揭示这种非单调厚度依赖性对外部压缩应变十分敏感,外部压缩应变能够很方便地调控铁电性能的厚度依赖性。更多还原