氮化硼纳米片/P(VDF-HFP)多层复合膜的储能性能

【作者】 叶会见； 卢铁梅； 徐春锋； 钟明强； 徐立新；

【机构】 浙江工业大学；

【摘要】 高脉冲电容器具有很高的功率密度,在消费电子、医用器械、粒子加速器及军工等领域有广泛的应用。成功制备具有高介电常数、高击穿场强、高储能密度的介电复合材料是实现新型脉冲储能的重要基础。本研究中,首先利用HBPE辅助剥离氮化硼纳米片(BNNSs),在此基础上将纳米片与聚(偏氟乙烯-六氟丙烯)(P(VDF-HFP))复合,通过拉伸和多层结构设计研究了制备工艺和结构对P(VDF-HFP)材料介电、储能性能的影响。当BNNSs含量为0.5 wt%时,BNNSs/P(VDF-HFP)复合膜的介电常数可达35.5(100 Hz),此时损耗仅为0.058;当E=325 MV/m时,复合膜的最大极化强度达4.05μC/cm~2,储能密度为5.63 J/cm~3,比纯膜提高了34%,充放电效率为79%。多层界面极化提高了多层膜的介电性能和储能密度,这有利于探索界面与介电行为的响应机制。更多还原