单向拉伸P(VDF-co-HFP)介电和储能性能影响研究

【作者】 周振基； 夏卫民； 陈冰； 尹亚玲； 张志成；

【机构】 西安理工大学印刷包装与数字媒体学院； 西安交通大学理学院应用化学系；

【摘要】 利用溶液旋涂法制备了不同HFP摩尔含量(5%,12%,15%,17%)的P(VDF-co-HFP)厚膜。为提高厚膜耐击穿电场强度,采用双向拉伸工艺以500%的拉伸率处理P(VDF-co-HFP)厚膜。然后用XRD和DSC表征了拉伸前后P(VDF-co-HFP)厚膜结晶度、晶相等凝聚态结构变化,并利用Agilent-4980和铁电测试仪比较分析了拉伸处理前后P(VDF-co-HFP)厚膜介电和储能性能。结果表明,拉伸处理后不同HFP摩尔含量的P(VDF-co-HFP)厚膜发生了由α相到β或γ相的相变,使室温下介电常数稍有下降。然而,经拉伸处理后,HFP摩尔含量为5%的P(VDF-co-HFP)厚膜耐击穿电场强度提高到了900MV/m,单向电滞回线表明,该厚膜可释放能量密度达到27.7 J/cm3。该数值高于此前报道结果,为PVDF基含氟聚合物在能量存储方面应用提供了重要参考。更多还原