VUV激光解吸/电离质谱成像(VUVDI-MSI)

【作者】 王佳； 刘峰； 王朝英； 莫宇翔；

【机构】 清华大学物理系原子分子纳米科学教育部重点实验室； 清华大学化学系；

【摘要】 质谱成像广泛应用于材料,生物,药学等领域的研究。目前广泛使用的质谱成像方法为SIMS(二次离子质谱)和MALDI(基质辅助激光解吸电离飞行时间质谱)。SIMS的空间分辨率可达亚微米,但仅能获得小质量的样品碎片成像信息(m/z<500);MALDI可以得到大质量(高达105 Da)母体离子,但由于基质效应,该方法的空间分辨率仅能达到微米级别,难于用于研究微小尺寸样品(如单细胞)。为了获取高的空间分辨率以及较大质量的样品离子信号,我们实验室最近搭建了一台VUV激光解吸/电离质谱成像(VUVDI-MSI)装置。三束准直基频光通过恒温的四波混频汞蒸气池,产生波长为125.4 nm的高强度VUV激光(约为100微焦耳/脉冲)1。通过设计分光和聚焦光路,使得空间分辨率约为4微米,获得了大量样品分子的质谱以及指纹、果蝇大脑切片、小鼠食管组织切片、小鼠卵细胞、青蛙卵细胞,斑马鱼卵细胞等样品的VUV质谱成像。这些结果表明,VUV溅射光源具有波长可调,溅射深度较浅、不需要添加基质、且比SIMS灵敏度更高等优点。更多还原