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基于硅IPD技术的混合电磁耦合带通滤波器设计

Design of a Novel S-Band Band Pass Filter On Silicon Based Integrated Passive Device Technology

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【作者】 方芝清唐高弟吕立明曾荣李智鹏

【机构】 中国工程物理研究院电子工程研究所

【摘要】 无源集成技术(IPD)可实现更小尺度的微波滤波器。本文基于硅基无源集成器件(IPD)工艺,借鉴经典的CQ(级联四角元件)滤波器拓扑,提出一种四电感互耦结构,利用集总LC谐振器和分布式互感耦合,在交叉耦合节点处以加载电容的方式引入混合电磁耦合节点,设计了一款新颖的S波段四阶带通滤波器,尺寸仅1.5×1mm~2。Momentum仿真数据,其通带内最小插损-3.2@2.81GHz,-1dB带宽范围2.66GHz~2.96GHz。

【Abstract】 Passive Integrated Technology(IPD) enables smaller-scale microwave filters. Based on the silicon IPD process and the classical CQ filter topology, a four-inductor mutual-coupling structure is proposed by this paper. Using the lumped LC resonator and distributed mutual coupling, with a frequency-dependent coupling introduced at the cross-coupled node, a novel S Band 4-order band-pass filter was designed with a compact size of 1.5×1 mm~2. The simulated minimum insert loss of the passband is about-3.2 dB@2.81 GHz;-1 dB bandwidth range in passband is 2.66 GHz ~ 2.96 GHz.

  • 【会议录名称】 2018年全国微波毫米波会议论文集(上册)
  • 【会议名称】2018年全国微波毫米波会议
  • 【会议时间】2018-05-06
  • 【会议地点】中国四川成都
  • 【分类号】TN713
  • 【主办单位】中国电子学会
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