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半导体断路开关预脉冲产生机理和抑制方法的研究
【摘要】 半导体断路开关(SOS)反向快速截断过程中的预脉冲现象,严重影响了脉冲输出特性。本文采用Silvaco Atlas仿真软件,对预脉冲产生过程中器件内部的载流子运动和电场变化过程进行了分析,并在此基础上详细阐释了SOS预脉冲的产生机理;模拟获得了反向泵浦电流密度、基区掺杂浓度、基区宽度和PN结位置等电路和器件结构参数对预脉冲的影响规律,发现较高的基区掺杂浓度、靠近N+区的PN结结构、合适的反向泵浦电流密度和基区宽度可以抑制预脉冲的产生。通过对电路和器件结构参数的优化,明显抑制了预脉冲的产生,得到脉冲前沿约400 ps的输出脉冲。
【基金】 国家自然科学基金(51277147)
- 【会议录名称】 第十八届全国等离子体科学技术会议摘要集
- 【会议名称】第十八届全国等离子体科学技术会议
- 【会议时间】2017-07-26
- 【会议地点】中国陕西西安
- 【分类号】TN78
- 【主办单位】中国力学学会等离子体科学技术专业委员会、中国物理学会等离子体物理分会、中国核学会聚变与等离子体物理学会、中国物理学会高能量密度物理专业委员会