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脉冲电压下的场发射行为
【机构】 北京大学电子学系；
【摘要】 研究了冷电子源在方波脉冲电压驱动下的电子发射行为。冷电子源在脉冲电压驱动下的电子发射行为在很多方面不同于直流电子发射。由于充放电过程的存在,在脉冲的开始和结束阶段会有很大的位移电流产生,施加于阴阳极之间的电压相对于电源输出电压也有明显的畸变。场发射电流在每个脉冲持续时间内有小幅衰减。平均场发射电流随脉冲重复频率的增加而减小,而直流场发射电流更明显低于平均脉冲场发射电流。这种差异可以归因于冷电子源中电阻的阻值随温度的变化。脉冲场发射的这些特点对有关元器件的设计提出了新的要求。
- 【会议录名称】 2016真空电子学分会第二十届学术年会论文集（下）
- 【会议名称】2016真空电子学分会第二十届学术年会
- 【会议时间】2016-08-23
- 【会议地点】中国福建厦门
- 【分类号】O441.1
- 【主办单位】中国电子学会真空电子学分会、微波电真空器件国家级重点实验室