氮化铝单晶生长与p型掺杂研究

【作者】 胡伟杰； 张泽盛； 赵萌； 王文军； 郭丽伟； 陈小龙；

【机构】 中国科学院物理研究所功能晶体研究与应用中心； 中国科学院大学物理学院； 量子物质科学协同创新中心；

【摘要】 <正>氮化铝(AlN)是一种宽禁带半导体材料,具有高达6.2 eV的直接带隙,并且具有热导率高、表面声速大、抗腐蚀能力强、机械硬度大等优良性质。因此,AlN在制作高功率、高频率电子器件和短波长发光二极管方面具有广泛的应用前景。但由于难以获得高质量、大尺寸的AlN单晶外延衬底和高质量的AlN同质pn结,上述更多还原