【作者】 庞山； 杜祖亮；

【Author】 Shan Pang;Zuliang Du;Key Lab for Special Functional Materials of Ministry of Education,Henan University;

【机构】 河南大学特种功能材料教育部重点实验室；

【摘要】 利用表面光电压技术研究了电解液环境下TiO₂纳米颗粒薄膜与FTO导电玻璃基底之间的紧密层对界面电荷复合的影响。表面光电压的实验结果表明TiO₂紧密层的引入可以增强表面光伏,减少界面复合。然而表面光电压强度并不依赖于FTO基底与电解液的接触面积大小,这一现象说明了界面复合可能不是由FTO收集的自由电子向电解液反向传输引起的。表面光电压与交流阻抗谱的结果展示了TiO₂/FTO之间没有TiO₂紧密层时,有可能会存在大量的界面态,位于TiO₂导带底约0.2 e V。这些浅能级很容易捕获穿越TiO₂/FTO界面的自由电荷而导致复合,很显然这一复合过程与FTO和电解液的接触面积无关。而增加TiO₂紧密层后,TiO₂/FTO的界面态密度减少近一个数量级,因此增加紧密层而减小的界面复合应该归结于界面态密度的减少,从这个意义上讲TiO₂紧密层起到的是缓冲层的作用。更多还原

【Abstract】 The effect of the compact layer（CL） between the TiO₂ nanoparticle film and the F doped Sn O₂（FTO） conducting glass substrate（TiO₂/FTO） on the recombination is studied in the electrolyte of iodide/tri-iodide ions using the surface photovoltage（SPV） technique.Results of SPV and electrical impedance spectroscopy（EIS） indicate that a large number of surface/interface states occur at the interface of TiO₂/FTO without the TiO₂ CL.It is suggested that the recombination decrement by means of adding the TiO₂ CL should be attribute to the decrement of surface/interface state densities between TiO₂/FTO.As a result,the TiO₂ CL plays the role of the buffer layer because of decrement of the surface/interface recombination and improvement of charge transport from the TiO₂ film to the FTO substrate.更多还原