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在硅和碳化硅上不加偏置的条件下对其进行等离子体室温掺杂及其物理机制的研究
【作者】 侯瑞祥； 李磊； 方鑫； 孙国胜； 徐万劲； 肖池阶； 冉广照； 秦国刚；
【机构】 北京大学物理学院北京大学人工微结构与介观物理国家重点实验室； 中国科学院半导体研究所；
【摘要】 <正>掺杂在半导体工业中具有非常重要的意义。传统的半导体掺杂方法有两种,即热扩散和离子注入。热扩散通常需要高温和很长时间,能耗巨大、效率低,而且高温加热过程中半导体材料很容易受到来自周围环境中杂质的玷污。离子注入设备非常昂贵,难于广泛应用于工业生产和科研中;并且,离子注入会在材料中产生大量缺陷,离子注入后,必须进行高温退火来消除这些缺陷;对于个别材料,如碳化硅,退火通常需要1600摄氏度以上的高温,对加热设备要求较高。进入
- 【会议录名称】 第十二届全国硅基光电子材料及器件研讨会会议论文集
- 【会议名称】第十二届全国硅基光电子材料及器件研讨会
- 【会议时间】2017-05-25
- 【会议地点】中国福建厦门
- 【分类号】TN305.3
- 【主办单位】厦门大学物理科学与技术学院、浙江大学硅材料国家重点实验室