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外延生长法制备的Si基1.3微米量子点激光器
【作者】 杨冠卿； 徐波； 梁平； 吕尊仁； 胡颖； 于天； 刘峰奇； 杨涛； 陈涌海； 王占国；
【机构】 中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室；
【摘要】 <正>近年来通过制备硅基Ⅲ-Ⅴ族半导体激光器以实现高性能硅基光源的研究备受人们关注。在Si衬底上外延生长Ⅲ-Ⅴ族激光器材料的方法易于实现Ⅲ-Ⅴ族材料与Si衬底的大面积集成,因而成为一条很有希望的技术途径。由于Ⅲ-Ⅴ族材料与Si衬底的大晶格失配、界面极性差异和热膨胀系数差异,外延层中的失配位错、反相畴错等缺陷很难完全避免;而量子点材料对位错的敏感度较低,因此
【基金】 973项目(2013CB632104)的资助
- 【会议录名称】 第十二届全国硅基光电子材料及器件研讨会会议论文集
- 【会议名称】第十二届全国硅基光电子材料及器件研讨会
- 【会议时间】2017-05-25
- 【会议地点】中国福建厦门
- 【分类号】TN248
- 【主办单位】厦门大学物理科学与技术学院、浙江大学硅材料国家重点实验室