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基于氮、氧修饰的高密度硅量子点的近红外光发射调控与光增益特性
【作者】 林泽文； 林圳旭； 黄锐； 张毅； 宋捷； 李红亮； 徐骏； 陈坤基；
【机构】 韩山师范学院材料科学与工程学院； 南京大学电子科学与工程学院；
【摘要】 <正>利用PECVD技术构建镶嵌于SiO_xN_y基质的高密度硅量子点,通过调节SiO_xN_y基质中的O与N的含量,调控硅量子点的表面态,研究其近红外发光特性。研究表明,N含量的适当增加有利于提高硅量子点表面O-Si-N相关表面态,进而极大增强硅量子点的近红外光发射强度,其光发射效率可提高1个数量级以上。荧光寿命分析表明,随N含量的增加,荧光寿命从50ms缩短至2ms。在以上研究
【基金】 国家自然科学基金(61274140);广东省自然科学基金(2015A030313871)的资助
- 【会议录名称】 第十二届全国硅基光电子材料及器件研讨会会议论文集
- 【会议名称】第十二届全国硅基光电子材料及器件研讨会
- 【会议时间】2017-05-25
- 【会议地点】中国福建厦门
- 【分类号】O471.1
- 【主办单位】厦门大学物理科学与技术学院、浙江大学硅材料国家重点实验室