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硅氮氧薄膜中N-Si-O缺陷态在p-n结LED器件和光增益特性中的作用
【作者】 林泽文； 陈坤基； 张鹏展； 徐骏； 董恒平； 李伟； 黄信凡；
【机构】 南京大学电子科学与工程学院固体微结构物理国家重点实验室；
【摘要】 对掺氧后a-SiN_xO_y发光机制与光生载流子的复合动力学过程进行深入研究,从而证实了a-SiN_xO_y薄膜N-Si-O缺陷态发光机制。在p-n结LED器件研究中也发现,EL来自于电注入的载流子在N-Si-O缺陷态上的复合发光,并且N-Si-O缺陷态也作为载流子注入通道,是p-n异质结高效发光的重要原因。此外,我们研究了N-Si-O缺陷态在硅氮氧薄膜光增益特性的作用。
- 【会议录名称】 第十二届全国硅基光电子材料及器件研讨会会议论文集
- 【会议名称】第十二届全国硅基光电子材料及器件研讨会
- 【会议时间】2017-05-25
- 【会议地点】中国福建厦门
- 【分类号】O484;TN312.8
- 【主办单位】厦门大学物理科学与技术学院、浙江大学硅材料国家重点实验室