碳化硅晶须的微波加热合成及其电磁波吸收性能研究

【作者】 匡健磊； 曹文斌；

【机构】 无机非金属材料系材料科学与工程学院北京科技大学；

【摘要】 随着雷达探测技术和无线通讯技术的快速发展,人们开始关注复杂电磁场环境中的雷达隐身、电磁污染和信息安全等问题,而解决这些问题的有力手段之一是使用电磁波吸波材料将入射的电磁波耗散而极大地减少反射。SiC材料具有优良的高温稳定性和化学惰性,且密度相对较低(3.2 g/cm~3),尤其近年来人们还发现SiC的吸波性能随着温度的升高而逐步增强,使SiC成为潜在的耐高温吸波材料而备受关注。但是,SiC本身不具备磁损耗性能,而作为半导体其电导损耗性能偏低,导致其电磁波吸收性能弱于常用的碳基和铁磁吸波材料,限制了SiC基吸波材料的应用和发展。因此,本文通过微波快速加热的方法,制备具有丰富堆垛缺陷结构的SiC晶须,诱导高的极化损耗性能;同时通过掺杂提高SiC晶须的电导率,从而增强其电导损耗性能;最终实现极化损耗和电导损耗协同增强SiC晶须的电磁波吸收性能,为SiC吸波材料的应用和发展奠定基础。更多还原