三聚氰胺流量对DC-PCVD法氮掺杂金刚石膜生长特性影响

【作者】 吴春雷； 郝国栋； 朱瑞华； 陈薇薇； 孙霄霄；

【机构】 牡丹江师范学院物理与电子工程学院； 牡丹江师范学院化学化工学院；

【摘要】 用直流热阴极PCVD设备,以三聚氰胺为氮源,在不同三聚氰胺流量下制备氮掺杂金刚石膜。通过Raman光谱、X射线衍射（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）和和HL5550型霍尔测试系统征金刚石膜的结晶质量、晶粒取向、表面形貌以及导电性能。结果表明,三聚氰胺流量为2sccm时,薄膜晶粒细化,细小的晶粒,突出在薄膜表面,使得表面粗糙度较大,薄膜存在较大间隙及空洞,致密性较差,缺陷较多,但导电性能提高,电阻率低至3.7*10^-2Ω·cm;随着三聚氰胺流量的增加（4sccm-8sccm）,金刚石膜的晶粒增大、结晶质量提高,I（110）/I（111）的比值先增加后小幅度减小,促进了金刚石膜（110）面的生长。更多还原