不同射频磁控溅射功率下沉积缺氧型氧化锡薄膜及其电学性能研究

【作者】 王琪； 彭志坚； 王杨； 符秀丽；

【机构】 中国地质大学工程技术学院； 北京邮电大学理学院；

【摘要】 本文采用射频反应磁控溅射的方法,在不同溅射功率(60-160 W)下,在纯氩气氛中,制备得到了系列缺氧型氧化锡薄膜,并采用X-光电子能谱仪、扫描电阻显微镜、X-射线衍射仪、紫外-可见吸收光谱仪等研究了材料的组成和微观结构,并测试了材料的薄膜电阻率。结果表明,所得缺氧型氧化锡薄膜的表面随着溅射功率增加变得越来越均匀致密,同时晶粒明显增大。当溅射功率小于等于120 W时,薄膜没有呈现出明显的衍射峰;当功率为140 W以上时,薄膜中检测出了较强的(110)、(101)和(211)衍射峰。同时随着溅射功率的增大,薄膜的沉积速率以及厚度均明显增加,并且电阻率不断下降。此外,针对薄膜电阻率随溅射功率的增大而下降的现象,本文阐述了不同沉积条件下获得薄膜内部的本征缺陷类型,并研究了氧空位、间隙锡等本征缺陷对其光学、电学性能的影响。更多还原