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稀土Gd掺杂N型Si80Ge20材料的热电性能
【机构】 北京科技大学特种陶瓷与粉末冶金研究所； 北京新能源材料重点实验室；
【摘要】 <正>实验以Si粉、Ge粉、P粉、Gd粉为原料,在真空环境下合成Si80Ge20,采用放电等离子体快速烧结（SPS）方法烧结得到所需试样。研究了SPS烧结工艺对Si80Ge20样品显微结构和不同Gd掺杂对Si80Ge20的热电性能的影响。包括运用XRD,SEM方法对材料的物相成分和形貌进行了表征。通过直流四探针法测量其电导率,
- 【会议录名称】 第十六届全国高技术陶瓷学术年会摘要集
- 【会议名称】第十六届全国高技术陶瓷学术年会
- 【会议时间】2010-10-22
- 【会议地点】中国江西景德镇
- 【分类号】TB34
- 【主办单位】中国硅酸盐学会特种陶瓷分会