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生长温度对InAsSb/InSb多量子阱结构特性的影响

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【作者】 刘晓明； 李洪涛； 李美成； 赵连城；

【机构】 哈尔滨工业大学材料科学与工程学院；

【摘要】 本文用分子束外延法分别在420度和450度下生长了30周期的In As0.3Sb0.7/In Sb多量子阱结构,并利用双晶X射线、原子力显微镜和透射电镜对其微观结构和形貌特征进行了研究,利用X射线光电子能谱(XPS)

  • 【会议录名称】 第十五届全国高技术陶瓷学术年会摘要集
  • 【会议名称】第十五届全国高技术陶瓷学术年会
  • 【会议时间】2008-09-21
  • 【会议地点】中国辽宁沈阳
  • 【分类号】TB303
  • 【主办单位】中国硅酸盐学会特种陶瓷分会
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