节点文献

化学气相沉积GaN半导体薄膜的研究

  • 推荐 CAJ下载
  • PDF下载
  • 不支持迅雷等下载工具，请取消加速工具后下载。

【作者】 殷立雄； 黄剑锋； 王芬； 黄艳；

【机构】 陕西科技大学材料科学与工程学院；

【摘要】 以Ga2O3和NH3为源材料,采用化学气相沉积法在Si（111）基板表面制备了Ga N半导体薄膜。采用XRD和AFM等分析测试手段对薄膜的相组成和显微结构进行了表征。采用四探针法对薄膜的电导率进行了测量。

  • 【会议录名称】 第十五届全国高技术陶瓷学术年会摘要集
  • 【会议名称】第十五届全国高技术陶瓷学术年会
  • 【会议时间】2008-09-21
  • 【会议地点】中国辽宁沈阳
  • 【分类号】TN304.055
  • 【主办单位】中国硅酸盐学会特种陶瓷分会
知网节下载
节点文献中： 

本文链接的文献网络图示:

本文的引文网络
二级参考文献(0)
参考文献(0)
共引文献(0)
节点文献
同被引文献(0)
引证文献(0)
二级引证文献(0)