节点文献
碳界面层制备工艺对SiC_f/SiC复合材料力学性能的影响
【机构】 西北工业大学凝固技术国家重点实验室；
【摘要】 采用低压化学气相沉积(LPCVD)法制备了具有热解炭界面层的2.5维连续碳化硅纤维增韧的碳化硅(SiC_f/SiC)复合材料。在相同的LPCVD工艺条件下进行Si C基体的制备,纤维体积分数为48%,气孔率
- 【会议录名称】 第十五届全国高技术陶瓷学术年会摘要集
- 【会议名称】第十五届全国高技术陶瓷学术年会
- 【会议时间】2008-09-21
- 【会议地点】中国辽宁沈阳
- 【分类号】TB332
- 【主办单位】中国硅酸盐学会特种陶瓷分会