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双重加热法合成碳化硅晶片的工艺条件研究
【机构】 河北科技大学材料科学与工程学院； 青岛理工大学；
【摘要】 本文对碳化硅晶片的双重加热合成工艺进行了研究。分析探讨了碳化硅晶片双重加热合成机理。合成实验表明,双重加热法合成碳化硅晶片的优化工艺条件为:采用交流电加热,以白炭黑、炭黑为原料且质
- 【会议录名称】 第十五届全国高技术陶瓷学术年会摘要集
- 【会议名称】第十五届全国高技术陶瓷学术年会
- 【会议时间】2008-09-21
- 【会议地点】中国辽宁沈阳
- 【分类号】TQ163.4
- 【主办单位】中国硅酸盐学会特种陶瓷分会