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高低位置过渡法刻度探测器表面位置效率

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【作者】 章剑华向永春胡广春伍怀龙王红侠侯建平胡根储诚胜曾军迮仁德丁阁张昌繁

【机构】 中国工程物理研究院核物理与化学研究所

【摘要】 由于级联符合相加效应的影响,当刻度用的标准源核素种类与待测核素不同时,无法直接得到HPGe探测器表面位置处感兴趣γ射线的效率。采用反应堆辐照U3O8样品生产88Kr,并制备成活性炭钢盒源。利用标准源刻度探测器较高位置处效率曲线,通过高低位置过渡的方法,得到探测器表面位置的效率。

  • 【会议录名称】 第十七届全国核电子学与核探测技术学术年会论文集
  • 【会议名称】第十七届全国核电子学与核探测技术学术年会
  • 【会议时间】2014-08-13
  • 【会议地点】中国甘肃兰州
  • 【分类号】TL81
  • 【主办单位】中国电子学会、中国核学会核电子学与核探测技术分会
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