中物院小角中子散射谱仪及其在高分子材料研究中的应用

【作者】 刘栋； 孙良卫； 陈良； 闫冠云； 黄朝强； 王亭亭； 陈波； 孙光爱；

【机构】 中国工程物理研究院核物理与化学研究所； 中国工程物理研究院材料研究所；

【摘要】 小角中子散射（SANS）技术在高分子材料研究中有着不可比拟的优势,高分子领域两个诺贝尔奖工作（Flory的高分子链构象统计理论和de Gennes蛇行理论）的直接证实都源自中子散射或反射。高分子网络形变、相分离、结晶、玻璃化转变等高分子物理的基础科学问题,无一例外的都曾受益于中子散射。[1]我国正在建设的三个大型国家中子源,为以中子散射为代表的中子科学研究带来了快速发展机遇。中国工程物理研究院绵阳研究堆SANS谱仪的建成和率先投入使用,为我国高分子学科发展和相关产业升级插上了跨越发展的翅膀。目前主要技术指标可以实现:入射中子波长:0.25² nm,散射矢量范围:0.01⁵ nm^-1,波长分辨率:8%¹2%,样品台注量率:2×10⁵ cm^-2s^-1,样品到探测器距离:1.8¹1 m,³He二维位敏探测器:探测单元尺寸（空间分辨）为4.7 mm（矩阵数据128×128）。与谱仪配合的是相应的丰富的样品加载环境装置。在数据采集和处理上实现了输出矩阵数据对BERSANS和My SAS^[2]等分析软件的支持。更多还原