铁电表面层结构与相变的掠入射X射线衍射分析

【作者】 刘卫国； 孔令兵； 阙文修； 张良莹； 姚熹；

【机构】 西安交通大学电子材料与器件研究所；

【摘要】 <正>利用掠入射X射线衍射(GAXRD)方法分析材料的表面,是一种较为常见的分析手段,在铁电薄膜研究中,单纯利用GAXRD技术还不能清楚地揭示结构—性质关系。本成果的贡献是将掠入射X射线衍射技术与高温X射线衍射技术结合,首次从实验上证实了唯象理论对铁电薄膜相变及介电性质所做的预言。更多还原