【作者】 谷国华； 王磊； 王维波； 程伟； 王元； 陆海燕； 李欧鹏； 张健； 张勇； 徐锐敏；

【Author】 GU Guo-hua;WANG Lei;WANG Wei-bo;CHENG Wei;WANG Yuan;LU Hai-yan;LI Ou-peng;ZHANG Jian;ZHANG Yong;XU Rui-min;College of Electronic Engineering, University of Electronic Science and Technology of China;Nanjing Electronic Device Institue;

【机构】 电子科技大学电子工程学院； 南京电子器件研究所；

【摘要】 本文设计了一款W波段功率放大器,采用发射极宽度为1μm InP DHBT工艺。该PA采用了5级共射放大电路结构,其中前两级采用的器件发射极宽度为2×1μm,后三级采用的器件发射极宽度为4×1μm,电路原理图和版图联合仿真结果表明该PA在90-98GHz频带内,增益大于12dB,94GHz时饱和输出功率达到17.9dBm,芯片面积为1.61mm×0.98mm。目前电路正在流片制作当中。更多还原

【Abstract】 In this paper, a monolithic W-band power amplifier(PA) is presented by using 1μm emitter width InP DHBT technology. The PA is consisted by 2 stages 2×1μm and 3 stages 4×1μm emitter width transistors. The total circuit achieve more than 12 dB small signal gain from 90 GHz to 98 GHz. The saturation output power reaches 17.9d Bm at 94 GHz. The chip area is 1.60mm×0.98 mm. This W-band power amplifier MMIC is now being fabricated in progress on the NEDI compound semiconductor process line.更多还原