实验条件对PLD方法制备的CdS纳米针形貌、结构及生长模式的影响

【作者】 李惠； 陈立； 赵雨； 刘徐君； 关雷雷； 孙剑； 吴嘉达； 许宁；

【机构】 复旦大学光科系；

【摘要】 <正>近年来,由于纳米尺度材料与纳米薄膜以及常规体材料相比表现出的优异性质,包括纳米线、纳米棒、纳米管等在内的半导体纳米材料越来越受到研究者的广泛关注,使得它们在材料科学以及应用方面得到了极大的发展。在众多半导体材料中,CdS受到格外关注。因为CdS是一种直接带隙的宽禁带Ⅱ-Ⅵ族半导体材料,具有非常好的光学和电学性质,可以应用在发光二极管、光学传感器、光催化剂、太阳电池的窗口层或者吸收层以及混合型太阳电池的电极[1-3]。相较于CdS薄膜,纳米颗粒、纳更多还原