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高压下GaP的金属化相变及电学性质研究
【机构】 延边大学理学院物理系；
【摘要】 <正>本论文通过高压原位交流阻抗谱,高压原位电阻率和变温电阻率测量等实验手段并结合基于密度泛函理论的第一性原理计算,在35 GPa内对III-V族半导体材料磷化镓(gallium phoshpide,Ga P)的电阻率、晶界与晶粒电阻、弛豫频率等物理量在高压的变化规律进行了研究,解释了Ga P样品的金属化相变微观机制,获得如下结论:(1)在25 GPa压力范围内Ga P高压原位交流阻抗谱测量结果显示,加压过程中,Ga P的电阻值持续下降,5.8 GPa左右Ga P晶界电阻消失,
- 【会议录名称】 第十八届中国高压科学学术会议缩编文集
- 【会议名称】第十八届中国高压科学学术会议
- 【会议时间】2016-07-25
- 【会议地点】中国四川成都
- 【分类号】O521.2
- 【主办单位】中国物理学会高压物理专业委员会