高压下BaMoO₄介电性质的研究

【作者】 秦天茹； 王庆林； 刘才龙； 韩永昊； 高春晓；

【机构】 超硬材料国家重点实验室,吉林大学； 山东省光通信科学与技术重点实验室,聊城大学物理科学与信息工程学院；

【摘要】 <正>本文利用薄膜沉积和光刻技术,在金刚石对顶砧上集成出用于原位高压电学性质测量的微电路,将Ba Mo O4样品的交流阻抗谱测量至20.0GPa。晶体电阻,弛豫频率以及相对介电常数在所测量的压力范围内均发生了两次异常的变化,这与该样品的高压结构相变有关。Ba Mo O4的激活能和压力呈正相关,表明在压力的作用下该样品充放电过程变得更加困难,Mo-O偶极子的振动阻尼随压力的增加而增大。经过一个压力循环后,该样品的介电损耗明显降低,介电性能在压力的作用下得到了改善。复介电常数实部的色散随压力的增加不断减弱。此外,我们还更多还原