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基于温度、时间演变PL谱的a-SiN_x:O薄膜瞬态发光动力学研究
【作者】 张鹏展； 陈坤基； 林泽文； 谭大猛； 董恒平； 李伟； 徐骏； 黄信凡；
【机构】 南京大学电子科学与工程学院固体微结构物理国家重点实验室；
【摘要】 基于变温、变探测时间的PL谱,我们深入剖析了亚ns到ns时间范围内a-SiNx:O薄膜N-Si-O发光缺陷态时间演化的瞬态PL动力学过程,证实了缺陷态发光机制。我们进而揭示了室温下a-SiNx:O薄膜的辐射复合速率kr=1.28×108 s-1,如此快的kr可与直接带隙Cd Se纳米晶中的结果相比拟,说明了a-SiNx:O薄膜高荧光效率的物理原理。
【关键词】 a-SiN_x:O薄膜；
N-Si-O发光缺陷态；
缺陷态辐射复合机制；
发光瞬态动力学；
荧光寿命；
- 【会议录名称】 第十一届全国硅基光电子材料及器件研讨会论文摘要集
- 【会议名称】第十一届全国硅基光电子材料及器件研讨会
- 【会议时间】2016-06-16
- 【会议地点】中国江苏南京
- 【分类号】O484
- 【主办单位】南京大学电子科学与工程学院、南京大学固体微结构物理国家重点实验室、浙江大学硅材料国家重点实验室