节点文献
铜上CVD石墨烯的可控制备及其缺陷相关研究
【作者】 张燕辉； 陈志蓥； 张浩然； 葛晓明； 徐伟； 隋妍萍； 于广辉；
【机构】 中科院上海微系统与信息技术研究所；
【摘要】 <正>化学气相沉积(CVD)法在铜衬底上适于大面积单层石墨烯的制备[1]。由于CVD石墨烯的多晶性,增大单晶尺寸被认为是提高材料质量的有效途径。除晶界之外,石墨烯单晶内部的缺陷,比如由于衬底和石墨烯较大的热膨胀系数导致的在降温过程形成的褶皱等开始逐步引起研究者的注意[2,3]。我们在铜上CVD石墨烯可控生长的基础上,开展了褶皱的相关研究。主要研究了高温条件下氢气对铜上石墨烯中
- 【会议录名称】 第二届海峡两岸功能材料科技与产业峰会（2015）摘要集
- 【会议名称】第二届海峡两岸功能材料科技与产业峰会（2015）
- 【会议时间】2015-08-21
- 【会议地点】中国福建厦门
- 【分类号】TQ127.11
- 【主办单位】国家仪表功能材料工程技术研究中心、厦门大学、台湾材料科学学会