节点文献

低介电损耗AlN陶瓷及BN-AlN基陶瓷材料研究

Preparation of Low Loss Tangent AlN Ceramics and BN-AlN Composites

  • 推荐 CAJ下载
  • PDF下载
  • 不支持迅雷等下载工具,请取消加速工具后下载。

【作者】 张巨先

【Author】 ZHANG Ju-xian (Beijing Vacuum Electronics Research Institute,Beijing 100016,China)

【机构】 北京真空电子技术研究所

【摘要】 首先利用化学工艺制备出烧结助剂Y2O3均匀混合的AlN粉体及BN均匀包覆AlN的复合粉体。利用无压烧结制备出AlN陶瓷及BN-AlN基复相陶瓷。通过对陶瓷显微结构、热性能及微波介电性能的研究发现,通过化学工艺,将BN包覆到AlN粉体表面,制备出显微结构均匀的AlN-20%BN(质量比)复相陶,其热导率为78.1 W/m.K,在Ka波段介电常数为7.2、介电损耗最小值为13×10-4;通过材料化学工艺,将烧结助剂Y2O3均匀添加到AlN基体中,制备出热导率为154.2W/m.K,在Ka波段介电常数为8.5、介电损耗最小值为9.3×10-4的AlN陶瓷材料。

【Abstract】 The low loss tangent AlN ceramics,which have a high thermal conductivity(154.2 W/ m·K) and low loss tangent(9.3×10-4) at Ka frequency bands,and BN-AlN composites,which have a high thermal conductivity(78.1 W/ m·K) and low loss tangent(13×10-4) at Ka frequency bands,have been successfully fabricated.First,AlN powders mixed homogeneous with the sintering additive Y2O3 and AlN powders coated homogeneous with BN were prepared via a chemical processing.Next,the green bodies were sintered at pressureless sintering.

  • 【会议录名称】 真空电子技术—电子陶瓷、陶瓷-金属封接与真空开关管用陶瓷管壳应用专辑——工艺与设计
  • 【会议时间】2009-07-01
  • 【分类号】TQ174.1
节点文献中: 

本文链接的文献网络图示:

本文的引文网络