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双电抗补偿技术设计LC并联宽带E类功放

the Design of Broadband LC Paralled-Circuit Class E Power Amplifiers Using Double Reactance Compensation Technique

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【作者】 荣垂才徐跃杭夏明耀刘宪锁徐锐敏

【Author】 Rong Chuicai;Xu Yuehang;Xia Mingyao;Liu Xiansuo;Xu Ruiming;Fundamental Science on EHF Laboratory,University of Electronic Science and Technology of China;School of Physics and electronic information, Gannan normal University;School of Electronics Engineering and Computer Science, Peking University;

【机构】 电子科技大学极高频复杂系统重点学科实验室赣南师范学院物理与电子信息学院北京大学信息科学技术学院

【摘要】 利用双电抗补偿技术,采用LC并联拓扑结构,设计了工作在2GHz~6GHz的E类功率放大器.,在工作频带PAE大于55%,漏效率大于63%,增益大于8.2d B,输出功率大于4W,沟道温度升高小于112℃.

【Abstract】 A 2GHz ~6GHz class E power amplifier using the reactance compensation technique is applied to provide a broadband operation,the class E load network with a shunt capacitor and a series inductor is designed,,the amplifier provides an output power of over 4W and a flat gain of over 8.2d B ranging from 2~6GHz, with power added efficiency(PAE) of over 55% and a drain efficiency of over 63%.,the transistor temperature rise below 1120 C.

【基金】 国家重大科技专项
  • 【会议录名称】 2015年全国微波毫米波会议论文集
  • 【会议名称】2015年全国微波毫米波会议
  • 【会议时间】2015-05-30
  • 【会议地点】中国安徽合肥
  • 【分类号】TN722.75
  • 【主办单位】中国电子学会
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