【作者】 王冲； 李智群； 李芹； 刘扬； 曹佳； 王志功；

【Author】 Wang Chong;Li Zhi Qun;Li Qin;Liu Yang;Cao Jia;Wang Zhi Gong;Institute of RF- & OE-ICs,Southeast University;Engineering Research Center of RF-ICs & RF-Systems,Ministry of Education,Southeast University;

【机构】 东南大学射频与光电集成电路研究所； 教育部射频集成电路与系统工程研究中心；

【摘要】 本文提出了一款使用65nm CMOS工艺设计出的60 GHz窄带低噪声放大器(LNA)。在59 GHz至64 GHz的有用频带内,LNA具有17dB的峰值增益和5.5dB的噪声系数,同时在1.2 V电源供电时消耗17.2 mA的电流。本文LNA使用了三级放大的结构。为了提高后仿真的准确性,所有片上电感和微带线都在HFSS里进行了三维电磁场的建模和仿真。更多还原

【Abstract】 A 60 GHz narrowband low noise amplifier in 65-nm CMOS technology is presented.In the band 59-GHz to 64-GHz of interest,the LNA achieved a 17 dB peak gain,a noise figure of 5.5 dB,while drawing a current of 17.2mA from 1.2 V power supply.The LNA used a three-stage topology.In order to improve the post-layout simulations accuracy,all on-chip inductors and microstrip lines are modeled and simulated with 3-dimentional electromagnetic in HFSS.更多还原