【作者】 孙岩； 徐跃杭； 国云川； 徐锐敏；

【Author】 Sun Yan;Xu YueHang;Guo YunChuan;Xu RuiMin;College of Electronic Engineering,University of Electronic Science and Technology of China;

【机构】 电子科技大学电子信息工程学院；

【摘要】 本文设计了一款W频段低噪声放大器(LNA),采用WIN PP10-10 0.1μm栅长GaAs/InGaAs/A1GaAs pHEMT工艺。该LNA采用了4级放大电路结构,其中前两级采用的器件栅宽为4×25mm,后两级采用的器件栅宽为2×50μm,电路原理图和版图联合仿真结果表明该LNA在92-96GHz频带内,输入和输出回波损耗均大于10dB,噪声系数小于3.1dB,增益大于17dB,带内增益平坦度小于1dB,饱和输出功率达到15dBm,芯片面积为2.6mm×1.3mm。更多还原

【Abstract】 In this paper,a monolithic W-band low noise amplifier(LNA) is presented by using 0.1 μm gate length GaAs/InGaAs/AlGaAs pseudomorphic HEMT technology.The LNA is consisted by 2 stages 4×25um and 2 stages 2×50um gate width transistors.The total circuit achieves less than 3.1 dB noise figure with more than 17 dB associate gain from 92 GHz to 96 GHz,and gain flatness of less than 1dB.The saturation output power reaches 15 dBm.The chip area is 2.6mm×1.3mm.更多还原